MJD117T4

 MICRO COMMERCIAL COMPONENTS tranzistor     NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător     30VCurent de colector     0.1APutere disipată     225mWCarcasă     SOT23Amplificare curent     420...800Montare     SMDFrecvenţă     100MHz

Circuit integrat comutator de putere low-side 700mA cu un canal N capsula SOT223-4 producator Infineon

Optocuplor Canale:1, Montare SMD 5.3kV 70V 6.3-12.5%@10mA

AOD607,AOD 607, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     8/-9.4A     Putere disipată     7.5/12W     Carcasă     TO252-4    

 ROYAL OHM rezistor     thick filmMontare     SMDCarcasă - inch     1206Carcasă - mm     3216Rezistenţă     1.8kΩPutere     0.25WToleranţă     ±1%Tensiune de lucru max.     200VTensiune de impuls max.     400VTemperatura de lucru     -55...125°CCoeficient de temperatură     100ppm/°C

Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC

ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)     Tip diodă     transil     Putere disipată     1.5kW     Tensiune inversă max.     43V     Tensiune de străpungere     50.3V     Curent de şoc direct max.     200A     Structura semiconductorului     unidirecţională     Carcasă     SMC     Montare     SMD     Curent de scurgere     5µA

ROYAL OHM     thick film     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Rezistenţă 120Ω     Putere     0.25W     Toleranţă     ±1%