Silizium-NPN-Transistor, 800V 12A 45W (TO-218ISO)

tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit

MOS-FET 600V 3A 35W (TO-220-ISO) ST

NPN-Transistor 1000/450V 5A, 75W (TO-220AB)

varistor oxid de metal Montare THT Tensiune de lucru max. 275V AC, 350V DC Tensiunea varistorului 430V Curent max. varistor 8/20µs 2,5kA Dimensiuni corp Ø10mm Temperatura de lucru -40...105°C Toleranţă ±10% Capacitanţă 230pF

Tranzistor:bipolar,PNP;60V;1,5A;12W;TO126

diodă    redresoareMontare    THTTensiune inversă max.    0,6kVCurent de sarcină    4AStructura semiconductorului    o singură diodăcomutare super-rapidăCurent de şoc direct max.    110ACarcasă    DO201Tensiune conducţie max.    1,28VCurent de sarcină max.    25ACurent de scurgere    10µATimp de restabilire    60ns

rezistor     metal oxideMontare     THTRezistenţă     120kΩPutere     1WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.     700VTerminale     axial

circuit integratamplificator audioPutere    18WMontare    THTCarcasă    Pentawatt

circuit integratSursă tensiune de referinţăTensiune de referinţă    2.495VToleranţă    ±1%Montare    SMDCarcasă    SO8Temperatura de lucru    0...70°CCurent ieşire max.    100mATensiune de lucru    2.495...36V

TEXAS INSTRUMENTScircuit integrat    amplificator operaţionalbandă transmisie    3MHzMontare    SMTNumăr canale    2Carcasă    SO8Viteză creştere tensiune    13V/μsTemperatura de lucru    0...70°CTensiune de decalaj la intrare    13mVTensiune de lucru    3.5...18V

DIOTEC SEMICONDUCTORdiodă     redresoare SchottkyMontare     THTTensiune inversă max.     50VCurent de sarcină     20Ao singură diodăCapacitanţă     720pFCarcasă     P600Curent de şoc direct max.     290A