2SB826 -SAN

1,5MΩ;500mW;±5%;Ø3,2x9mm;

diodă     comutaţie     THT     Tensiune inversă max.     100V     Curent de sarcină     0.2A     o singură diodă     Capacitanţă     4pF     Carcasă DO35     Timp de restabilire     4ns     Curent de şoc direct max. 1A     Tensiune conducţie max. 1V     Putere disipată 500mW

Condensator electrolitic 10uf 63V     5x11mm 105° producator JB Capacitors

WeEn Semiconductors     componentă semiconductor     tiristor     Tensiune inversă max.     1kV     Curent de sarcină     7.5A     Curent de sarcină max.     12A     Curent de poartă     2mA     Montare     THT     Carcasă     TO220AB     Timp activare     2µs

SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 1.5MΩ     Putere     0.25W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max. 250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial

Comutator ON - ON (intrerupator comutare) Carcasă SPDT 3P 6A 125VAC, 3A 250VAC Durata de viață: până la 20.000 de operații de comutare 29x8x5mm

PMCtranzistor PNPPolarizare bipolarTensiune colector-emitator 250VCurent de colector 16APutere disipata    250WCarcasa TO3Amplificare curent     5...60Montare THTFrecventa 4MHz

tranzistor NPNPolarizare bipolarTensiune colector-emiţător 100VCurent de colector     6APutere disipată     65WCarcasă     TO220ABMontare     THT