STP6NK90

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     40/-40V     Curent drenă     12/-12A     Putere disipată     14/15W     Carcasă     TO252-4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 30/45mΩ    

tranzistor     NPNPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    100VCurent de colector    3APutere disipată    40WCarcasă    TO220ABMontare    THT

tranzistor    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă    650VCurent drenă    12APutere disipată    33.2WCarcasă    TO220FTensiune poartă-sursă    ±30VRezistenţă în timpul funcţionării    0.54ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    50.5nCcanal    îmbogăţit

NPN-transistor 8A 50W (TO-218-ISO)

Tranzistor N-Mosfet unipolar 600V 7,4A la 100° C 51W capsula TO220F producator Fairchild

Tranzistor N-Mosfet unipolar 600V 3,3A la 100° C 50W capsula TO220F producator Fairchild

Tranzistor PNP 100V 6A 65W capsula TO220 producator Fairchild

Polarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    40VCurent de colector    1.5APutere disipată    1WCarcasă    TO92Montare    THT

Tranzistor NPN 60V 10A 50W capsula TO220 producator ST

J112 ONSEMI tranzistor N-JFET Polarizare unipolar Curent drenă 5mA Putere disipată 0.625W Carcasă TO92 Tensiune poartă-sursă -35V Rezistenţă în timpul funcţionării 50Ω Montare THT Curent de poartă 50mA

ST MICROELECTRONICS     tranzistor NPN     bipolar     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 25A     Putere     125W     TO247

INFINEON TECHNOLOGIESTip tranzistor    N-MOSFETTehnologie    CoolMOS™Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    600VCurent drenă    13.1APutere disipată    34.5WCarcasă    PG-TO220-3-FPTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.19ΩMontare    THTcanal    imbogăţit

Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level

NPN     Polarizare bipolar     Darlington + diodă     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 10A     Putere     125W     Carcasa TO247

NPN-Darlington-Transistor+Diode 60V, 4A, 50W (TO-220AB)

Producător     ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     35A     Putere     115W     Carcasa     TO220     Rezistenţă în timpul funcţionării 45mΩ