• Payments

    Payments
Filtre active

Tub termocontractabil 1.5mm/1m rosu

Recenzie(i): 0
Tub termocontractant tip CB-HFT, flexibil, fara halogen, utilizat pe scara larga in domeniul electronicii si ingineriei electrice. Temperatura de contractie: 90 grade C Contractie radiala: mai mare sau egala cu 50% Modificare in lungime: mai putin de +/- 5%
Pret 0,67 Lei
Mai multe
Stoc epuizat

Referinta: NE18x

1uF 63V Samwha

Recenzie(i): 0
SAMWHAcondensator    electroliticMontare    THTCapacitanţă    1µFTensiune de lucru    63V DCDimensiuni carcasă    Ø5x11mmRaster terminale    2mmToleranţă    ±20%Temperatura de lucru    -40...85°CSerie condensatoare    SDToleranţă înălţime condensator    1.5mm
Pret 0,29 Lei
Mai multe
In stoc

Referinta: AS1c

AOD609

Recenzie(i): 0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     40/-40V     Curent drenă     12/-12A     Putere disipată     14/15W     Carcasă     TO252-4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 30/45mΩ    
Pret 2,95 Lei
Mai multe
In stoc

Referinta: AR1c

AOD607A

Recenzie(i): 0
AOD607,AOD 607, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     8/-9.4A     Putere disipată     7.5/12W     Carcasă     TO252-4    
Pret 2,69 Lei
Mai multe
In stoc

Referinta: AK5ab

0.5W 4V3 -SMD

Recenzie(i): 0
diodă     Zener     Putere disipată     0.5W     Tensiune Zener     4.3V     Montare     SMD     Toleranţă     ±2%     Carcasă     MiniMELF     o singură diodă
Pret 0,19 Lei
Mai multe
In Stoc

Referinta: AI12a

IRF7313 -SMD

Recenzie(i): 0
Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
Pret 2,29 Lei
Mai multe
In stoc

Referinta: AP4b

IRF540NS

Recenzie(i): 0
tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
Pret 2,95 Lei
Mai multe
In stoc