MICROCHIP TECHNOLOGY     circuit integrat     emiţător-receptor     Categoria Ethernet     10/100Base-T     Carcasă     QFN32     Tensiune de lucru     3...3.6V     Montare     SMD     Caracteristici circuite integrate     PHY     Număr transceivere     1     Interfaţă:MIIRMII

SR Passives     rezistor metal oxide     Montare THT     Rezistenţă 68Ω     Putere     5W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max.     750V     Dimensiuni carcasă     Ø6 x 17mm     Dimensiuni terminale     Ø0.75 x 36mm     Tensiune de impuls max. 1kV     Terminale axialPret bucata

 SR PASSIVEScondensator     cu poliesterUtilizare condensatoare circuite de frecvenţe înalte,   de filtrare,   sisteme antiperturbatii,   sisteme de impulsuriCapacitanta    470nFRaster terminale     15mmToleranţă     ±10%

Colier inox 8-12mm. Se pot utiliza la tevi metalice, tevi din cupru, tevi din material plastic, furtunuri si cabluri. Montare rapida si usoara. Potrivit pentru aplicatii casnice si industriale

VISHAY     diodă Zener     Putere     1.3W     Tensiune Zener 16V     Carcasă DO41     Montare THT     Toleranţă ±5%

SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 430Ω     Putere     0.25W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max. 250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial

rezistor de carbon     Montare     THT     Rezistenţă     68Ω     Putere     0.5W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2x9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6x26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale     axial

priza simpla cu impamantare si capac de protectie, fixare pe perete (P.T.)

Error Amplifier

Husa ChicPocket UltraSlim M4 iPhone 5 neagra

Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    

diodă    redresoareMontare    THTTensiune inversă max.    0,6kVCurent de sarcină    4AStructura semiconductorului    o singură diodăcomutare super-rapidăCurent de şoc direct max.    110ACarcasă    DO201Tensiune conducţie max.    1,28VCurent de sarcină max.    25ACurent de scurgere    10µATimp de restabilire    60ns