FQPF10N60

Producător     ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     35A     Putere     115W     Carcasa     TO220     Rezistenţă în timpul funcţionării 45mΩ   

sinonim cu C9014, 2SC9014 Tranzistor NPN 50V 0,15A 0,625W capsula TO92 producator KEC

Tranzistor PNP 100V 10A 80W capsula TO-3PN producator ISC

tranzistor    NPNPolarizare     bipolar tranzistor    DarlingtonTensiune colector-emiţător    30VCurent de colector    0,5APutere disipată    0,625/1,5WCarcasă    TO92Amplificare curent    5000...10000Montare    THTFrecvenţă    125MHz

MOS-FET 600V 3A 35W (TO-220-ISO) ST

Tranzistor N-Mosfet unipolar 60V 37,1A la 100° C 121W capsula TO220-3 producator Fairchild

N Channel 80A 55V 0.008ohm 10V 3V 300W TO-220

Tranzistor N-Mosfet 60V 50A Rds 0.028Ohm capsula TO220 producator ST

STP75NF75     Tranzistor N-Mosfet 75V 70A 300W capsula TO220

tranzistor     N-MOSFETTehnologie     WMOS C2Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     600VCurent drenă     5APutere disipata     42WCarcasa     TO252Tensiune poartă-sursă     ±30VRezistenta în timpul functionarii     1.14ΩMontare     SMD canal     îmbogatit

 tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     42A     Putere disipată     110W     Carcasă     TO220-3     Tensiune poartă-sursă     ±15V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N-MOSFET x2     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     3.6A     Putere     1.28W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     56mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     4.3nC

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 900V     Curent drenă 3.65A     Putere     140W     Carcasă TO247-3     Tensiune poartă-sursă ±30V     Rezistenţă în timpul funcţionării 2000mΩ

Tranzistor N-Mosfet 600V 13A Rds 0,48Ohm capsula TO220-ISO producator ST

Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level

ONSEMI tranzistor NPN Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 40V Curent de colector 0,2A Putere disipată 0,225W Carcasă SOT23, TO236AB Amplificare curent 100...300 Montare SMD Frecvenţă 300MHz