InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC

WeEn Semiconductors tiristor Tensiune inversă max. 1.2kV Curent de sarcină max. 79A Curent de sarcină 50A Curent de poartă 50mA Carcasă SOT429, TO247-3 Montare THT Curent de şoc direct max. 0.65kA Timp activare 2µs

Amplifiers - AudioMax Power Output x Channel: 5Wx2@3(Ohm)Output Type: 2-Channel, HeadponesType: Class ABVoltage Supply: 5V~18V45 dBMaximum Power Dissipation - 20000 mW

circuit integrat driver     Curent ieşire     250mA     Tensiune ieşire 620V     Putere     1W     Temperatura de lucru -40...125°C     DIP8

stabilizator de tensiune     liniar, reglabil     Tensiune ieşire 1.2...32V     Curent ieşire     5A     Carcasă TO220     Număr canale     1     Grosime radiator 1.22...1.32mm

P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET

Led 3W RGB 8mm Tensiune de lucru 2..3/3..4/3..4V

Amplificator audio 60W Hi-Fi

Tranzistor N-Mosfet 900V 5.8A Rds=1,56Ohm capsula TO220-ISO producator ST poate fi inlocuit cu 2SK2545

Semireglabil 1K multitura orizontal

ZETTLER     releu     electromagnetic     Configuratie pini     SPST-NO     Tensiune nominala bobina     12V DC     Sarcina admisibila contacte AC @R(la sarcina rezistiva)     12A / 125V AC     Sarcină admisibilă contacte DC @R