DIOTEC SEMICONDUCTOR     Tip tranzistor     PNP     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 25V     Curent de colector 800mA     Putere     625mW     TO92     Amplificare curent 400

PNP 140V 20A 250W TO3

ON SEMICONDUCTORtranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa     60VCurent drena     0.2ACurent de drena în impuls     0.5APutere disipata     0.4W

J111 ONSEMI tranzistor N-JFET Polarizare unipolar Curent drenă 20mA Putere disipată 0.625W Carcasă TO92 Tensiune poartă-sursă -35V Rezistenţă în timpul funcţionării 30Ω Montare THT Curent de poartă 50mA

2SC3807     Tranzistor NPN 30V 2A 15W capsula TO126 producator Sanyo

Silicon NPN Darlington 100V 8A 70W capsula TO220 producator ISC

tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit

CDIL     tranzistor NPN     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 50V     Curent de colector 100mA     Disipări de curent 350/1W     Carcasă TO92     Amplificare curent 125...500     Frecvenţă 100MHz     Factor de zgomot 10dB

CDIL     Tip tranzistor     NPN     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emiţător     40V     Curent de colector     0.8A     Putere disipată     0.5/1.2W     Carcasă     TO18     Montare     THT     

tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit

WeEn SemiconductorstiristorTensiune inversa max.     800VCurent de sarcină max.     12ACurent de sarcina     7.5ACurent de poartă     2mACarcasă     TO220ABMontare     THTTimp activare     2µs

SI-N 150V 8A 50W