Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     

NPN 180V 15A 130W

NPN-Transistor 750V 10A, 60W - TO3PF FSC

tranzistor    NPNPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    60VCurent de colector    1APutere disipată    0.8/4WCarcasă    TO39Amplificare curent    63...160Montare    THTFrecvenţă    50MHz

ST MICROELECTRONICS     tranzistor NPN     Polarizare bipolar     Subtip tranzistor Darlington     Tensiune colector-emiţător 80V     Curent de colector     4A     Disipări de curent 40W     Carcasă SOT32     Amplificare curent 750

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω

WeEn Semiconductors     Tip componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max.     800V     Curent de sarcină max.     4A     Curent de poartă     10mA     Montare     THT     sensitive gate     Tehnologie     3Q, Hi-Com     Subtip ambalaj     tub     Carcasă     TO220AB

Tranzistor NPN 140V 10A 100W capsula TO247

STP75NF75     Tranzistor N-Mosfet 75V 70A 300W capsula TO220

DIOTEC SEMICONDUCTOR tranzistor PNP Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 45V Curent de colector  0,8A Putere disipată 0,31W Carcasă SOT23 Amplificare curent 250...630 Montare SMD Frecvenţă 100MHz

tiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     12ACarcasă     TO220ABInsCurent de poartă     50mAMontare     THT

InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W