ON4377

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...

tranzistor    PNPPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    60VCurent de colector    1APutere disipată    0.8/4WCarcasă    TO39Amplificare curent    100...250Montare    THTFrecvenţă    50MHz

EVERLIGHT     optocuplor     THT     Număr canale     1     Tipul ieşirii cu tranzistori     CTR@If     19-50%@16mA     Transfer 1Mbps     

N-MOSFET 55V; 133A; 200W

NPN 180V 15A 130W

NPN-Transistor 750V 10A, 60W - TO3PF FSC

tranzistor    NPNPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    60VCurent de colector    1APutere disipată    0.8/4WCarcasă    TO39Amplificare curent    63...160Montare    THTFrecvenţă    50MHz

ST MICROELECTRONICS     tranzistor NPN     Polarizare bipolar     Subtip tranzistor Darlington     Tensiune colector-emiţător 80V     Curent de colector     4A     Disipări de curent 40W     Carcasă SOT32     Amplificare curent 750

WeEn Semiconductors     Tip componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max.     800V     Curent de sarcină max.     4A     Curent de poartă     10mA     Montare     THT     sensitive gate     Tehnologie     3Q, Hi-Com     Subtip ambalaj     tub     Carcasă     TO220AB

Tranzistor NPN 140V 10A 100W capsula TO247

STP75NF75     Tranzistor N-Mosfet 75V 70A 300W capsula TO220