Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...

DIOTEC SEMICONDUCTOR tranzistor PNP Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 45V Curent de colector  0,8A Putere disipată 0,31W Carcasă SOT23 Amplificare curent 250...630 Montare SMD Frecvenţă 100MHz

P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET

tiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     12ACarcasă     TO220ABInsCurent de poartă     50mAMontare     THT

SI-N 150V 1.5A 25W 4MHz

Tranzistor NPN 115V 6A 65W capsula TO220 producator Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559   Dual MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO8

DIOTEC SEMICONDUCTOR tranzistor NPN Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 45V Curent de colector 0.8A Putere disipată 0.31W Carcasă SOT23 Amplificare curent 250...630 Montare SMD Frecvenţă 100MHz

Triac 600V 16A capsula TO220AB

N-FET 100V 33A 140W

tranzistor    NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    70VCurent de colector    0,5APutere disipată    0,75W    Carcasă    TO92Amplificare curent    85...340Montare    THTFrecvenţă     120MHz

INFINEON TECHNOLOGIESTip tranzistor    N-MOSFETTehnologie    CoolMOS™Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    600VCurent drenă    13.1APutere disipată    34.5WCarcasă    PG-TO220-3-FPTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.19ΩMontare    THTcanal    imbogăţit