Tranzistor NPN 115V 2A 30W capsula TO220

NEXPERIA tranzistor NPN x2 Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 45V Curent de colector 0,1A Putere disipată 0,3W Carcasă SC88, SOT363, TSSOP6 Curent de colector pulsat 0,2A Amplificare curent 200...450 Montare SMD Frecvenţă 100MHz

Tranzistor NPN 900V 5A 80W capsula TO3P producator Sanken

INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit

   Tip componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max. 600V     Curent de sarcină max. 40A     Curent de poartă 50mA     TOP3

Tranzistor PNP 115V 10A 80W capsula TO-3PN producator ST

MD2310FX / ST2310FX NPN-Transistor, 700V 14A 62W (TO-218ISO)

tranzistor PNP Polarizare bipolar  tranzistor Darlington Tensiune colector-emiţător 60V Curent de colector 4A Putere disipată 40W Carcasă TO126 Amplificare curent 750 Montare THT

NEXPERIA Tip tranzistor PNP x2 Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 45V Curent de colector 0,1A Putere disipată 0,3W Carcasă SC88, SOT363, TSSOP6 Amplificare curent 200...450 Montare SMD

ptocuplor    optotriacTensiune izolaţie    5.3kVTensiune ieşire    400Vfără sistem de conectare la zeroCarcasă    DIP6Tensiune inversă max.    6VCurent comutare    5mAMontare    THTNumăr canale    1

OS-N/P-FET 30V 6A 2W capsula SOIC8 producator Alpha and Omega Semiconductor

    Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC