tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit

tranzistor PNP Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 30V Curent de colector 0,1A Putere disipată 0,25W Carcasă SOT23 Amplificare curent 520 Montare SMD

optotriac     Tensiune izolaţie     5kV     Tensiune ieşire     600V     iesirii     fara sistem de conectare la zero     Carcasă     DIP6     Tensiune inversa max.     6V     Curent comutare     10mA     Montare     THT     Numar canale     1

Tranzistor N-Mosfet 250V 14A 125W capsula TO220AB producator IR

NPN 400V 1A 40W capsula TO220 producator ISC

tiristor     Tensiune inversă max. 500V     Curent de sarcină 7.5A     Curent de sarcină max.     12A     Curent de poartă     2mA     TO220AB     Timp activare 2µs

Tranzistor NPN 60V 10A 50W capsula TO220 producator ST

IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR

WeEn Semiconductors tiristor Tensiune inversă max. 1.2kV Curent de sarcină max. 79A Curent de sarcină 50A Curent de poartă 50mA Carcasă SOT429, TO247-3 Montare THT Curent de şoc direct max. 0.65kA Timp activare 2µs

Tranzistor N-Mosfet 60V 50A Rds 0.028Ohm capsula TO220 producator ST

Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild

 LITEONoptocuplor     optotriacTensiune izolaţie     5kVTensiune ieşire     600Vcircuit de comutare în zeroCarcasă     DIP6Tensiune inversă max.     6VCurent comutare     50mAMontare     THTNumăr canale     1