Infineon    N-MOSFET     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă     94A Putere     140W    

Polarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    40VCurent de colector    1.5APutere disipată    1WCarcasă    TO92Montare    THT

tiristor    triacTensiune inversă max. 0.8kVCurent de sarcină max.    16ACarcasă    TO220ABCurent de poartă    5mAMontare    THTTensiune conducţie max.    1.6V  

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET

WeEn Semiconductorstranzistor    NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    400VCurent de colector    8APutere disipată    80WCarcasă    TO220ABAmplificare curent    8...40Montare    THT

semiconductor     tiristorTensiune inversa max.     400VCurent de sarcina     2.5ACurent de sarcina max.     4ACurent de poarta     50µAMontare     THTCarcasa     TO126Curent de soc direct max. 40A

Tranzistor N-Mosfet 75V 130A 330W capsula TO220AB producator IR IRF1407PBF

Tranzistor PNP 40V 1,5A 1W capsula TO92 producator KEC

WeEn Semiconductorssemiconductor     tiristorTensiune inversă max.     400VCurent de sarcină     0.5ACurent de sarcină max.     0.8ACurent de poarta     50mAMontare     THTCarcasă     TO92Curent de soc direct max. 8ATimp activare     2µs

N-MOSFET 55V; 133A; 200W

Tranzistor N-Mosfet 800V 10A Rds 0.75Ohm capsula TO220 ISO producator ST

LITTELFUSE     tiristor     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină     2.55A     Curent de sarcină max.     4A     Curent de poartă     0.2mA     Montare     THT     Carcasă TO225AA     glass passivated