Tranzistor N-Mosfet 600V 13A Rds 0,48Ohm capsula TO220-ISO producator ST

Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...

WeEn Semiconductorssemiconductor     tiristorTensiune inversa max.     800VCurent de sarcina     5ACurent de sarcina max.     8ACurent de poarta     50µAMontare     THTCarcasa     TO220ABTimp activare     2µs BT258-800R

P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET

Tranzistor N-Mosfet 30V 140A capsula TO220AB producator IR

STMicroelectronicssemiconductor     tiristorTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină     5ACurent de sarcină max.     8ACurent de poarta     200µAMontare     THTCarcasa    TO220AB

N-FET 100V 33A 140W

STMicroelectronics     tranzistor     NPN     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emitator     100V     Curent de colector     15A     Putere disipata     90W     Carcasa TO247-3

Tranzistor IGBT 600V 30A 122W capsula TO247AC producator IR

Tiristor 800V 16A capsula TO220AB producator NXP

INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit

Tranzistor IGBT 600V 70A 200W capsula TO247AC producator IR