STMicroelectronics  tiristor triac Tensiune inversă max. 0,6kV Curent de sarcină max. 1A Carcasă SOT223 Curent de poartă 3mA Curent de şoc direct max. 8A Montare SMD

    Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC

Tranzistor IGBT 600V 75A 463W capsula TO247 producator Fairchild

 WeEn Semiconductorstiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     1ACarcasă     TO92Curent de poartă     3/5mACurent de şoc direct max.     8ATehnologie     4Qsensitive gateMontare     THT

tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit

ST MICROELECTRONICS     componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină max.     1A     Curent de poartă     10mA     Montare     THT     Carcasă     TO92

tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător 1.3kV     Curent de colector 30A     Putere     250W     TO247     Tensiunea poartă - emitor ±25V     Curent de colector pulsat 90A     THT     Încărcătură poartă 372.3nC

N-MOSFET     Tensiune drenă-sursă 500V     20A     Putere     280W     TO247AC

ST MICROELECTRONICS     componentă semiconductor triac     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină max.     1A     Curent de poartă 10mA     Montare SMD     Carcasă SOT223

Producător     ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     600V     Curent drenă     6A     Putere     110W     Carcasa     TO220     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.2Ω

VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ

Producător     ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     35A     Putere     115W     Carcasa     TO220     Rezistenţă în timpul funcţionării 45mΩ