WeEn Semiconductorssemiconductor     tiristorTensiune inversă max.     400VCurent de sarcină     0.5ACurent de sarcină max.     0.8ACurent de poarta     50mAMontare     THTCarcasă     TO92Curent de soc direct max. 8ATimp activare     2µs

Tranzistor N-Mosfet 800V 10A Rds 0.75Ohm capsula TO220 ISO producator ST

tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit

LITTELFUSE     tiristor     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină     2.55A     Curent de sarcină max.     4A     Curent de poartă     0.2mA     Montare     THT     Carcasă TO225AA     glass passivated

Tranzistor N-Mosfet 600V 13A Rds 0,48Ohm capsula TO220-ISO producator ST

Tranzistor:unipolar,P-MOSFET;-60V;-8,8A;42W;TO251AA Producător: VISHAY

WeEn Semiconductorssemiconductor     tiristorTensiune inversa max.     800VCurent de sarcina     5ACurent de sarcina max.     8ACurent de poarta     50µAMontare     THTCarcasa     TO220ABTimp activare     2µs BT258-800R

Tranzistor N-Mosfet 30V 140A capsula TO220AB producator IR

N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit

STMicroelectronicssemiconductor     tiristorTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină     5ACurent de sarcină max.     8ACurent de poarta     200µAMontare     THTCarcasa    TO220AB

STMicroelectronics     tranzistor     NPN     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emitator     100V     Curent de colector     15A     Putere disipata     90W     Carcasa TO247-3

Tranzistor IGBT 600V 30A 122W capsula TO247AC producator IR