Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   

BTA06-700B     Triac 700V 6A capsula TO220AB producator ST

tranzistor    NPNPolarizare     bipolar tranzistor    DarlingtonTensiune colector-emiţător    30VCurent de colector    0,5APutere disipată    0,625/1,5WCarcasă    TO92Amplificare curent    5000...10000Montare    THTFrecvenţă    125MHz

Metalloxid-N-Kanal-FET,600V, 6,2A, 125W

Tranzistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 65W; TO220AB

Tranzistor:unipolar,P-MOSFET;-60V;-8,8A;42W;TO251AA Producător: VISHAY

NPN     Polarizare bipolar     Darlington + diodă     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 10A     Putere     125W     Carcasa TO247

N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit

WeEn Semiconductorstranzistor    NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    400VCurent de colector    4APutere disipată    75WCarcasă    TO220ABAmplificare curent    10...40Montare    THT

Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET

ST MICROELECTRONICS     tranzistor NPN     bipolar     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 25A     Putere     125W     TO247