Tiristor 800V 16A capsula TO220AB producator NXP

Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB

Tranzistor IGBT 600V 70A 200W capsula TO247AC producator IR

WeEn Semiconductors     componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină max.     1A     Curent de poartă 3mA     Montare SMD     Carcasă SOT223

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET

Tranzistor IGBT 600V 75A 463W capsula TO247 producator Fairchild

 WeEn Semiconductorstiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     1ACarcasă     TO92Curent de poartă     3/5mACurent de şoc direct max.     8ATehnologie     4Qsensitive gateMontare     THT

N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 290A; 190W; TO247AC

ST MICROELECTRONICS     componentă semiconductor     triac     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină max.     1A     Curent de poartă     10mA     Montare     THT     Carcasă     TO92

tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător 1.3kV     Curent de colector 30A     Putere     250W     TO247     Tensiunea poartă - emitor ±25V     Curent de colector pulsat 90A     THT     Încărcătură poartă 372.3nC

Tranzistor N-Mosfet 40V 162A 200W capsula TO220AB

ST MICROELECTRONICS     componentă semiconductor triac     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină max.     1A     Curent de poartă 10mA     Montare SMD     Carcasă SOT223