ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     PNP     bipolar     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 25A     Putere     125W     TO247     3MHz

N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 290A; 190W; TO247AC

Tranzistor N-Mosfet 75V 100A 310W capsula TO220 producator ST

VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC

tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC

MOS-FET 600V 7.5A 48W RDS ON 1R2 TO-220F

N Channel 80A 55V 0.008ohm 10V 3V 300W TO-220

Tranzistor N-Mosfet 40V 162A 200W capsula TO220AB

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 900V     Curent drenă 3.65A     Putere     140W     Carcasă TO247-3     Tensiune poartă-sursă ±30V     Rezistenţă în timpul funcţionării 2000mΩ

P-MOSFET, -200V; -11A; 125W

Tranzistor N-Mosfet 900V 5.8A Rds=1,56Ohm capsula TO220-ISO producator ST poate fi inlocuit cu 2SK2545

N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; 92A; 190W; TO-247AD