MPSA06DIOTEC SEMICONDUCTOR     tranzistor     NPN     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 80V     Curent de colector     0.5A     Putere disipată 625mW     Carcasă TO92     Amplificare curent 100     Montare THT     Frecvenţă 100MHz

N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit

DIOTEC SEMICONDUCTOR     tranzistor NPN     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 400V     Curent de colector 300mA     Disipări de curent 625mW     Carcasă TO92     Amplificare curent 200

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC

DIOTEC SEMICONDUCTOR     tranzistor PNP     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 80V     Curent de colector 500mA     Disipări de curent 625mW     Carcasă TO92     Amplificare curent 100     Frecvenţă 50MHz

Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET

VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC

Tranzistor IGBT 600V 23A 167W capsula TO247 producator Fairchild

Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    

Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB

 tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     42A     Putere disipată     110W     Carcasă     TO220-3     Tensiune poartă-sursă     ±15V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ

Tranzistor N-Mosfet unipolar 600V 3,3A la 100° C 50W capsula TO220F producator Fairchild