WeEn Semiconductors tiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     1ACarcasă     TO92Curent de poartă     3/7mACurent de şoc direct max.     12.5ATehnologie     4Qsensitive gateMontare     THT

MOS-FET N-Kanal 200V 9.2A 90W (TO-220)

Producător     FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Tip tranzistor     PNP     Polarizare     bipolar     Tip tranzistor     Darlington     Tensiune colector-emiţător 30V Curent de colector     1A     Putere     625mW     Carcasa     TO92     Montare     THT     Frecvenţă     200MHz

PNP 100v 2A 25W capsula TO126 producator ISC

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...

NPN-Transistor 700V 8A 45W

DIOTEC SEMICONDUCTORtranzistor     NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător     40VCurent de colector     0.2APutere disipată     625mWCarcasă     TO92Montare     THTFrecvenţă     300MHz

INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor NPN Polarizare bipolar  tranzistor RF Tensiune colector-emiţător 20V Curent de colector 90mA Putere disipată 0.3W Carcasă SOT323 Montare SMD Frecvenţă 6GHz

Tranzistor NPN 60V 150mA 400mW capsula TO92 producator Toshiba

2SA1015     Tranzistor PNP 50V 150mA 0,4W 80MHz capsula TO92 producator Toshiba

tranzistor    NPNPolarizare    bipolartranzistor    DarlingtonTensiune colector-emiţător    100VCurent de colector    10APutere disipată    70WCarcasă    TO220ABAmplificare curent    750Montare    THT

tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit