Filtre active

Referinta: AL10a

IRG4BC30UDPBF

Recenzie(i): 0
Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
Pret 8,97 Lei
Mai multe
in stoc

Referinta: NA28p

IRF3710

Recenzie(i): 0
N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
Pret 6,00 Lei
Mai multe
Stoc epuizat

Referinta: SE15a

IRFD120 -IR

Recenzie(i): 0
N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Mai multe
Stoc epuizat

Referinta: BA4h

IRFP9140

Recenzie(i): 0
tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
Pret 6,76 Lei
Mai multe
In stoc

Referinta: SI14a

IRF9530N

Recenzie(i): 0
Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
Pret 3,97 Lei
Mai multe
in stoc

Referinta: SF6a

IRF610PBF

Recenzie(i): 0
VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
Mai multe
in stoc

Referinta: AL12b

IRFD014PBF

Recenzie(i): 0
VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
Pret 2,69 Lei
Mai multe
in stoc

Referinta: AM4b

IRFZ46N -IR

Recenzie(i): 0
Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
Pret 2,68 Lei
Mai multe
Stoc epuizat