Tranzistor N-Mosfet 250V 14A 125W capsula TO220AB producator IR

IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR

Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild

Infineon    N-MOSFET     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă     94A Putere     140W    

Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET

Tranzistor N-Mosfet 75V 130A 330W capsula TO220AB producator IR IRF1407PBF

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...

N-MOSFET 55V; 133A; 200W

Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...

P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET

N-FET 100V 33A 140W