Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω

InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    

tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit

tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit

N-Mosfet 250V 8.1A 74W capsula TO220AB producator ISC

tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit

Tranzistor N-Mosfet 250V 14A 125W capsula TO220AB producator IR

IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR

Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild

Infineon    N-MOSFET     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă     94A Putere     140W    

N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET